RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
43
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
2379
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905471-084.A00LF 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link