RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
15.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2646
3716
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB RAM-Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link