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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
AMD R748G2606U2S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
61
Rund um 59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R748G2606U2S 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
61
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2028
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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