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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
AMD R748G2606U2S 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
61
Rund um 59% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R748G2606U2S 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
61
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
8.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2028
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
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Kingston 9965690-002.A00G 8GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
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