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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
AMD R748G2606U2S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
61
Por volta de 59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
8.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R748G2606U2S 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
61
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
8.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2028
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
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