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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
AMD R748G2606U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
61
Intorno 59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
8.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R748G2606U2S 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
61
Velocità di lettura, GB/s
16.1
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
2028
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
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