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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
25
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2971
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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