Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Punteggio complessivo
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Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.1 left arrow 15.8
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    24 left arrow 25
    Intorno -4% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.7 left arrow 10.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 12800
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    25 left arrow 24
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.1 left arrow 15.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.1 left arrow 11.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2764 left arrow 2971
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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