RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
16.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3925
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link