RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3925
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link