RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.4
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3925
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link