RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
14.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3443
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link