RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
28
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3443
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link