RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3443
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link