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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
46
Rund um 46% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
2973
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
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