RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
17.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3762
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link