RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
20.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3762
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link