RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
20.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3762
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link