RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
36
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
1891
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link