RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
36
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
9.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1891
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link