RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Сравнить
AMD AE34G1601U1 4GB против Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
AMD AE34G1601U1 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD AE34G1601U1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
67
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
67
36
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
14.4
Скорость записи, Гб/сек
3.6
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
998
2490
AMD AE34G1601U1 4GB Сравнения RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link