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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
67
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
36
读取速度,GB/s
6.8
14.4
写入速度,GB/s
3.6
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2490
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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