RAM-Vergleich Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Gesamtnote

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

25 28

Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.1 12

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

10.1 9.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 12800

Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2764 2347

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns