Comparaison de la RAM Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Note globale

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

25 28

Autour de 11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16.1 12

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

10.1 9.1

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 12800

Autour de 1.33 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2764 2347

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns