RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
32
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
14.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3368
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link