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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.9
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
16.1
15.7
写入速度,GB/s
10.1
14.9
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3368
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
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