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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
32
周辺 22% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
15.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
14.9
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
12800
周辺 1.83 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
32
読み出し速度、GB/s
16.1
15.7
書き込み速度、GB/秒
10.1
14.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
23400
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3368
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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