RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
28
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3007
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link