RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
43
Rund um -95% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3178
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link