RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
43
Около -95% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
22
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
18.4
Скорость записи, Гб/сек
9.6
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3178
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link