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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
43
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3178
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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