RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
43
Rund um -153% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.1
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.6
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
21.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
19.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
3829
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link