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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
43
En -153% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.1
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.6
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
17
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
19.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3829
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
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