Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Puntuación global

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Puntuación global

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Informar de un error

Mayor velocidad de lectura, GB/s

10 8.7

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.2 6.2

Valor medio en las pruebas

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Informar de un error

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

39 49

En -26% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 10600

En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Principales características

Tipo de memoria

DDR3 DDR4
Latencia en PassMark, ns

49 39
Velocidad de lectura, GB/s

10.0 8.7
Velocidad de escritura, GB/s

8.2 6.2
Ancho de banda de la memoria, mbps

10600 19200

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2116 1842

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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