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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
74
En -124% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
3157
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
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