Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

Gesamtnote
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Gesamtnote
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

Unterschiede

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    43 left arrow 50
    Rund um 14% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 12.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 7.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 12800
    Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    43 left arrow 50
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 12.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 7.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2506 left arrow 2326
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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