RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
50
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
50
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
2326
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link