Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    43 left arrow 50
    Wokół strony 14% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    14.9 left arrow 12.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.6 left arrow 7.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 12800
    Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    43 left arrow 50
  • Prędkość odczytu, GB/s
    14.9 left arrow 12.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.6 left arrow 7.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2506 left arrow 2326
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania