RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Confronto
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Punteggio complessivo
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
50
Intorno 14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
50
Velocità di lettura, GB/s
14.9
12.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.6
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2506
2326
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link