RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Vergleichen Sie
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Gesamtnote
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
66
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
9.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2506
1934
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link