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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
66
Autour de 35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
66
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
1934
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
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SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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