Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка

V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

43 66

Около 35% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.6 9.0

Среднее значение в тестах

V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.5 14.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 66
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 16.5
Скорость записи, Гб/сек

9.6 9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2506 1934

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston 9965600-012.A02G 16GB

Kingston 9965600-012.A02G 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

INTENSO 5641162 8GB

INTENSO 5641162 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB

Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Kingston 9905713-008.A00G 4GB

Kingston 9905713-008.A00G 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

Kingston 9905665-021.A00G 4GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB

Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB

Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB

модули RAM