RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
59
Rund um -211% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
16.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
3542
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGE85F-C8KJ9A 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link