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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
59
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
19
读取速度,GB/s
4,833.8
20.0
写入速度,GB/s
2,123.3
16.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3542
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
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