RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
59
Intorno -211% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
19
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3542
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link