RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
59
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
9.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
2336
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link