RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
18.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
59
Rund um -136% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
18.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
4174
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link