RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
59
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
4174
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link