RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
18.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
59
En -136% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
4174
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link