Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Gesamtnote
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Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Unterschiede

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 17.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.7 left arrow 2,123.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 6400
    Rund um 4 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    59 left arrow 59
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,833.8 left arrow 17.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,123.3 left arrow 9.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    731 left arrow 2181
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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