RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
69
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
10.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2600
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link