RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
69
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2600
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 99U5471-024.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link