RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
23.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
69
Rund um -165% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.0
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
23.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
19.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
4276
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link